Китайский производитель памяти CXMT подал заявку на IPO в Шанхае. Компания разместит около 10% акций и рассчитывает привлечь $8,54 млрд — это станет крупнейшим размещением в полупроводниковой отрасли КНР.
SK Hynix привлекла $26,5 млрд ($40 трлн вон) в ходе дебюта на американском рынке — крупнейшего в истории среди иностранных компаний, превзойдя IPO Alibaba 2014 года на $25 млрд.
Современные GPU для ИИ окружены несколькими стеками HBM, но наращивание слоёв ведёт к перегреву. В обычной HBM кристаллы DRAM соединяются через TSV и разделены диэлектриком с низкой теплопроводностью.
CXMT тайно осваивает производство памяти HBM на нескольких площадках в Китае, включая Шанхай. Западные санкции закрыли местный рынок для иностранных поставщиков, а государство поддерживает импортозамещение.
SK hynix обогнала Samsung Electronics по капитализации среди южнокорейских компаний благодаря буму ИИ и спросу на память HBM. Samsung утверждает, что при учёте привилегированных акций расчёты иные, но SK hynix всё равно лидирует.
Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.
Чхэ Тхэ Вон, председатель SK Group, заявил о намерении SK hynix остаться крупнейшим поставщиком памяти HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Компания конкурирует с Samsung, но не сдаётся.
SK hynix представила iHBM — интегрированные охлаждающие элементы, встроенные в корпус памяти HBM нового поколения.
Рост числа слоёв в памяти HBM ограничен сложностью и стоимостью. Уже есть 16-слойные образцы, в перспективе 20, но производство дорожает экспоненциально. Увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU тоже сложно из-за падения скорости при удалении.
SK hynix рассматривает технологию Intel EMIB для упаковки памяти HBM4. Ранее компания использовала TSMC и CoWoS, но его возможности ограничены.