Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.
Чхэ Тхэ Вон, председатель SK Group, заявил о намерении SK hynix остаться крупнейшим поставщиком памяти HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Компания конкурирует с Samsung, но не сдаётся.
SK hynix представила iHBM — интегрированные охлаждающие элементы, встроенные в корпус памяти HBM нового поколения.
Рост числа слоёв в памяти HBM ограничен сложностью и стоимостью. Уже есть 16-слойные образцы, в перспективе 20, но производство дорожает экспоненциально. Увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU тоже сложно из-за падения скорости при удалении.
SK hynix рассматривает технологию Intel EMIB для упаковки памяти HBM4. Ранее компания использовала TSMC и CoWoS, но его возможности ограничены.
Компания объявила о 80% выходе годных чипов по техпроцессу 4 нм. Этот показатель сравним с TSMC, что поможет подразделению стать прибыльным.
DRAM подорожали на 60,8 %, NAND — на 55,3 %, что взвинтило доходы производителей памяти. ИИ-инфраструктура делает чипы дефицитным ресурсом. SK hynix подтверждает тренд: квартальная выручка выросла почти втрое, операционная прибыль — в пять раз к аналогу прошлого года.
SK hynix запускает масштабную стройку заводов по упаковке и тестированию чипов для ИИ в США и Южной Корее.
Американские чипы Nvidia серии Hopper оснастили памятью HBM3 ещё в 2022 году. Поставки осуществляли южнокорейские заводы и американская Micron. Если CXMT не сможет запустить серийное производство HBM3 в следующем году, китайская индустрия отстанет на пять лет. Huawei планировала внедрять эту память в ускорители Ascend уже сейчас или в 2025 году, а к 2028 году — перейти на HBM4. Санкции и задержки вынудят компанию пересмотреть планы.