Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.
Для отвода тепла в HBM5 используется теплоотводный канал Heat Path Block (HPB), что отличает её от конкурентной iHBM от SK hynix. В HBM4E технология уже отлажена, а в HBM5E планируется переход на техпроцесс 1d.
В HBM4E применяются 4-нм базовый кристалл и техпроцесс 1c для DRAM. SK hynix в HBM5 также внедрит iHBM и 2-нм чипы, но Samsung делает ставку на собственное контрактное производство для строгих клиентов, включая Nvidia.
Технический директор Samsung Сон Чжэ Хёк подтвердил использование GAA для 2-нм и уверенность в освоении техпроцессов тоньше 1 нм. На Computex 2025 был показан макет HBM5.
0 комментариев