Разворот транзисторного канала из вертикального положения (как в FinFET) в горизонтальное даёт важное преимущество. Кристаллическая решётка кремния анизотропна, и свойства структур зависят от выбранной кристаллографической ориентации подложки.
Учёные из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе создали прототип транзистора, использующего эффект волны зарядовой плотности в кристаллах трисульфида тантала. В таком материале электроны движутся коллективно, образуя электронно-решёточный конденсат.
Инженеры Samsung Electronics разработали первый промышленно реализуемый 3D-транзистор (3DSFET) с рекордным шагом затвора 42 нм. Достижение представили на VLSI Symposium 2026.
Исследователи из KAIST показали, что критическая длина туннелирования в транзисторах непостоянна. Она зависит от работы выхода металла и геометрии контакта. При правильном подборе материалов этот предел можно снизить до уровня менее 4 нм.
IMEC, ASML и TSMC совместно продемонстрировали масштабируемую интеграцию 2D-транзисторов на 300-мм кремниевых пластинах.
Японские исследователи создали одни из самых тонких в мире полупроводниковых нанотрубок — из дисульфида молибдена диаметром около 1 нм. Это в 100 тысяч раз меньше толщины человеческого волоса.
Машина Изинга решает сложные задачи за часы, тогда как классическому компьютеру потребовались бы тысячи лет.