Учёные из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе создали прототип транзистора, использующего эффект волны зарядовой плотности в кристаллах трисульфида тантала. В таком материале электроны движутся коллективно, образуя электронно-решёточный конденсат.
Измерения показали, что изменения плотности заряда в конденсате в 10–100 раз превышают ожидаемые для обычных полупроводников. Даже слабое внешнее поле перестраивает всю систему, обеспечивая высокий отклик при низких напряжениях.
Авторы впервые разделили вклад отдельных электронов и коллективного состояния, определили квантовую ёмкость и построили зонную диаграмму такого транзистора. Архитектура устройства напоминает традиционные полевые транзисторы с каналом и затвором.
Пока это только демонстрация концепции, но результаты открывают путь к созданию маломощных транзисторов и элементов памяти. Существующие технологии производства чипов, вероятно, не потребуют радикальной перестройки.
0 комментариев