На рынке литографического оборудования происходят важные сдвиги: несмотря на консервативную позицию тайваньской TSMC — крупнейшего контрактного производителя чипов в мире — по отношению к High-NA EUV-сканерам стоимостью около $400 млн за штуку, интерес к этой технологии растёт у других игроков отрасли.
По данным ASML, компании-производителя таких систем, уже четыре клиента эксплуатируют в общей сложности 10 литографических установок этого класса на своих предприятиях и в лабораториях. Ещё три сканера находятся в процессе поставки и монтажа.
Samsung и SK hynix проявляют интерес к применению High-NA EUV при выпуске памяти — у каждой компании есть как минимум по одному образцу системы ASML TwinScan EXE:5200B. С помощью такого оборудования можно внедрить как минимум пять поколений литографических норм для производства DRAM-памяти.
Оборудование упрощает технологическую оснастку и сокращает производственный цикл, что особенно важно в условиях высокого спроса на память. Об этом на конференции Semicon Taiwan 2026 рассказала старший вице-президент ASML Грит Стормс, курирующая направление данных литографических машин.
Пионером внедрения High-NA EUV в производстве процессоров стала Intel — компания уже задействует такие системы при выпуске части операций для чипов Panther Lake по технологии Intel 18A.
По словам представительницы ASML, оборудование этой марки уже обработало 1,35 млн кремниевых пластин. Система TwinScan EXE:5200B способна обрабатывать 135 пластин в час — этого достаточно для массового производства чипов.
К концу десятилетия ASML планирует увеличить производительность до 180 или даже 210 пластин в час, но для этого потребуется переход на более совершенные модели оборудования.
Что касается TSMC, в этом году компания всё же приобрела несколько литографических сканеров ASML данного класса, однако планирует использовать их только для лабораторных экспериментов. Учитывая масштабы бизнеса TSMC, внедрение High-NA EUV в массовое производство потребует колоссальных инвестиций, на которые компания пока не готова решиться.