SK hynix инвестирует $38 млрд в два производственных проекта в Южной Корее. Завод в Йонъине сосредоточится на DRAM, фабрика в Чхонджу — на NAND. Средства распределятся в соотношении 2:1.
Вторая очередь предприятий в Йонъине начнёт строиться в июле 2027 года. Первые линии DRAM и HBM выйдут на серийное производство в июне 2029 года. Первый завод комплекса заработает уже в феврале 2027 года.
Завод M17 в Чхонджу будет выпускать NAND для ПК и серверов. Строительство стартует в феврале 2027 года, первая линия запустится в декабре 2028 года.
Спрос на память со стороны ИИ-сегмента настолько высок, что производственные квоты SK hynix расписаны до конца 2027 года. Компания активно переходит на долгосрочные контракты с авансовыми платежами.
Правительство Южной Кореи поддерживает отрасль: совместно с SK hynix и Samsung реализуется программа удвоения мощностей по выпуску памяти за пять лет.
Под давлением инвесторов SK hynix пообещала раскрыть план возврата капитала до конца квартала. После этого акции компании частично отыграли падение, достигавшее 4,9%.