В первом квартале контрактные цены на DRAM выросли на 98%, доходы производителей — на 81% до $97 млрд. Забастовка Samsung была приостановлена, но могла усугубить дефицит.
Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.
Аналитики TrendForce повысили прогноз оборота рынка памяти на 2024 год с $842,7 млрд до $1,28 трлн из-за экспансии ИИ-агентов. Цены на память продолжат расти из-за нехватки кремниевых пластин. В этом году выручка DRAM вырастет на 303% до $618,7 млрд, NAND — на 280,7% до $270,6 млрд.
На фоне бума ИИ китайский производитель памяти CXMT показал рекордные результаты: чистая прибыль в первом квартале выросла на 1688% до $3,6 млрд, выручка — на 719% до $7,45 млрд.
Один из крупнейших гиперскейлеров продлевает срок эксплуатации серверов общего назначения с шести до семи лет из‑за дефицита DRAM и жёстких дисков. Дефицит продлится минимум до 2027 года.
Глава Silicon Motion сообщил, что акцент в ИИ смещается на инференс, поэтому спрос на оперативную память и скоростные накопители останется высоким. Во втором полугодии цены на память продолжат рост, а дефицит NAND сохранится до 2028 года.
Пробная ночная забастовка на заводе Samsung в Пхёнтхэке привела к 18% падению выпуска памяти.
Samsung получила первый рабочий образец DRAM по техпроцессу 10a, где линейные размеры составляют 9,5–9,7 нм. Это открывает эру литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти.
Дефицит памяти ударит по смартфонам и автопрому. Крупнейшие производители DRAM наращивают мощности в темпе, покрывающем лишь 60% спроса. Новые фабрики строятся с задержками, а три лидера переориентировались на выпуск HBM для ИИ. Кризис начался осенью 2025 года: к I кварталу 2026 цены выросли на 90%.
