SK hynix запускает масштабную стройку заводов по упаковке и тестированию чипов для ИИ в США и Южной Корее.
В Южной Корее к концу года завершат возведение объекта стоимостью $12,85 млрд. В штате Индиана работы идут полным ходом: фундамент готов, стены поднимают в текущем году. Бюджет американского проекта — $3,87 млрд. Полный старт производства памяти HBM4E и HBM5 ожидается во второй половине 2028 года.
Хотя Samsung Electronics доминирует на общем рынке, SK hynix лидирует в сегменте HBM3E. Чтобы сохранить позиции против конкурентов, компания открывает два новых узкоспециализированных завода: один на родине, второй — в США.
Параллельно расширяются мощности по выпуску DRAM. На заводе Fab M15X уже монтируют оборудование для опытного запуска в мае. В феврале следующего года откроют первое предприятие нового комплекса в Йонъине и начнут установку линий для массового производства.
Ключевым трендом станет активное внедрение EUV-литографии. В обозримом будущем на всех линиях установят 20 соответствующих систем для создания более совершенной памяти.