Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.
Samsung Electronics разрабатывает память HBM5, базовый кристалл которой будет выпускаться по 2-нм технологии с GAA-транзисторами. Количество слоёв DRAM (техпроцесс 1c) составит от 12 до 20. Массовое производство начнётся в 2028 году.