Учёные из Иллинойса решили проблему температурного барьера при создании 3D-чипов. Обычно отжиг кремния требует 1000°C, но после первого слоя температура не должна превышать 400°C. Команда использовала сверхтонкие мембраны монокристаллического кремния (толщиной 10 нм) и переносила их на подложку при температуре до 200°C с помощью роликового ламинатора.
Новый метод позволяет создавать более плотные CPU, GPU и AI-ускорители благодаря монолитной 3D-интеграции. Межслойные соединения стали в 10–100 раз плотнее по сравнению с традиционными TSV-переходами. Технологией уже заинтересовались IBM, Intel и TSMC.
Для демонстрации учёные собрали трёхслойный чип из 625 транзисторов на каждом слое. Выход годных составил 98–100% даже в лабораторных условиях. Плотность тока оказалась в 3–4 раза выше, чем у аналогов из альтернативных материалов.
Исследователи сохранили стандартный монокристаллический кремний, отказавшись от поликремния или углеродных нанотрубок. Для низкотемпературного процесса были разработаны безпереходные транзисторы с равномерным легированием тонкой плёнки.
0 комментариев