Учёные из Иллинойса решили проблему температурного барьера при создании 3D-чипов. Обычно отжиг кремния требует 1000°C, но после первого слоя температура не должна превышать 400°C. Команда использовала сверхтонкие мембраны монокристаллического кремния (толщиной 10 нм) и переносила их на подложку при температуре до 200°C с помощью роликового ламинатора.
Исследователи из EPFL превратили лабораторный прототип в коммерчески viable модуль: трёхслойный генератор, работающий на любой воде — от водопроводной до морской. Это продолжение работ 2024 года, где была создана база для добычи тока без очистки жидкости.
Свет теперь напрямую управляет электронными переходами в кремнии, открывая путь к полностью интегрированной фотонике. «Диагональные» переходы в непрямозонных материалах создают новый канал рекомбинации с минимальным нагревом. Метод управления импульсом фотонов (momentum-engineered photonic states) экономичнее изменения геометрии кристалла или создания сложных двумерных структур.
