Samsung создала первый прототип 900-слойного чипа памяти NAND с технологией Cell Multi-Bonding (CMB), объединяющей две 450-слойные пластины. Это повышает плотность хранения данных и снижает энергопотребление, что важно для ИИ.
Компания ускоряет разработку на фоне конкуренции: SK hynix уже выпускает 321-слойные чипы, а китайская YMTC — 294-слойные. Samsung готовит массовое производство 400-слойных, а 900-слойные пока на стадии прототипа.
Первый 3D V-NAND Samsung выпустила в 2013, но столкнулась с проблемами деформации при увеличении слоёв. Новые технологии коррекции позволили создать многослойную структуру.
0 комментариев