За последние три месяца TSMC заметно продвинулась в разработке техпроцесса A14 (1,4 нм), обогнав N2 (2 нм) на аналогичной стадии. Высокий интерес к технологии проявили производители чипов для смартфонов, ИИ и высокопроизводительных вычислений (HPC).
Серийное производство по A14 запланировано на вторую половину 2028 года. В апреле компания достигла 85 % целевой производительности при 80 % выходе годной продукции для 256-Мбит SRAM. За три месяца оба показателя выросли до 90 %.
«Разработка A14 идёт по плану. Внутренние испытания тестового компонента показали производительность на уровне 90 % от целевой и выход годной продукции для 256-Мбит SRAM около 90 %», — заявил гендиректор TSMC Си-Си Вэй.
Достижение почти 90 % по обоим параметрам за 2,5 года до запуска массового производства говорит о том, что A14 опережает N2 на сопоставимом этапе. При готовых проектах заказчиков выпуск может начаться и раньше.
По словам Вэя, клиенты стремятся завершить проектирование досрочно, и это хороший знак. Интерес к A14 уже проявили производители клиентских процессоров, а также оборудования для ИИ и HPC.
При этом A14 не получит систему подачи питания с обратной стороны кристалла Super Power Rail — она дебютирует лишь в A12 во второй половине 2029 года.
По сравнению с N2 новый техпроцесс обещает прирост производительности на 10–15 % при том же энергопотреблении и числе транзисторов, либо снижение энергопотребления на 25–30 % при той же частоте.
Плотность транзисторов для смешанных схем вырастет на 20 %, для логических — на 23 %.
Для сравнения: в апреле 2023 года N2 давал 80 % целевой производительности при 50 % выходе годных для тестового 256-Мбит SRAM, а к апрелю 2024 года эти показатели поднялись до 90 % и 80 %. То есть A14 развивается быстрее.
Отчасти это объясняется накопленным опытом работы с транзисторами GAA (окружающий затвор), впервые внедрёнными в N2. Но приведённые цифры лишь указывают на низкую плотность дефектов и высокую однородность структуры — об успехах коммерческого производства говорить пока рано.
0 комментариев