Sonata

Xiaomi представила 3-нм процессор Xring O3 для складных смартфонов

image source

Xiaomi продолжает развивать собственную чиповую платформу и представила новый процессор Xring O3, выполненный по 3-нм техпроцессу. Это логичное продолжение линейки, стартовавшей с более простого Xring O1, и явный сигнал о растущих амбициях компании в производстве компонентов.

Новый чип впервые появится в складном смартфоне Xiaomi 18 Fold, релиз которого намечен на сентябрь. По данным источников Reuters, в этом году Xiaomi может заказать от 200 до 300 тысяч экземпляров Xring O3.

Процессор примечателен сразу по нескольким параметрам. Это первый китайский чип, выпускаемый по передовому 3-нм техпроцессу тайваньской TSMC. Также это первый мобильный процессор с поддержкой памяти нового типа LPDDR6.

Скорость передачи данных достигает 10667 Мбит/с, а пропускная способность — 113,8 Гбайт/с. Это на 48% выше показателей предшественника Xring O1.

Напомним, что устройства на базе Xring O1 с момента дебюта в мае прошлого года разошлись тиражом более миллиона штук, из которых около 150 000 пришлось на смартфоны.

TSMC также выпустит для Xiaomi ещё два чипа: 6-нм Xring O100 для ускорения фирменной ИИ-модели MiMo и 3-нм Xring D100 для автомобильных систем помощи водителю и автопилота.

Xring D100 сочетает 20-ядерный CPU и 16-ядерный NPU, а также до 160 Гбайт унифицированной памяти — этого достаточно для локального запуска ИИ-моделей с 200 млрд параметров.

Массовое производство Xring O3 уже стартовало, а выпуск Xring O100 и D100 начнётся в следующем году. Помимо смартфона-книжки, новый чип может появиться в планшете Xiaomi Pad 9 Pro Max.

На площади 133 мм² размещено 24 млрд транзисторов — на 26% больше, чем у предыдущего поколения. Чип оптимизирован под работу с фирменными ИИ-моделями Xiaomi.

Быстродействие в тензорных вычислениях достигает 200 TOPS, а в векторных операциях — 3,13 TFLOPS. Работа с локальными ИИ-данными ускорена на 45%.

В CPU добавлены два вычислительных блока для ИИ, а графическая подсистема получила восемь дополнительных блоков нейронного ускорения. Задержки снижены до рекордных 82 нс при улучшенной энергоэффективности.

источник

Загрузка страницы