SK hynix совместно с TSMC ускоряет разработку памяти HBM4 и 3D DRAM‑on‑Logic. Президент компании отметил: для ИИ‑оборудования нужны новые архитектуры памяти, выходящие за рамки постепенных улучшений.
Samsung параллельно исследует монолитную 3D DRAM с оксидными каналами — совместная работа с imec, KU Leuven и Lam Research пока на стадии моделирования, о коммерциализации не сообщается.
SK hynix начала наём инженеров через филиал в Сан‑Хосе для разработки 3D‑Stacked DRAM‑on‑Logic. Технология предполагает вертикальную интеграцию DRAM поверх логического кристалла, что снижает задержки и энергопотребление по сравнению с традиционными PoP (package‑on‑package).
Решение ориентировано на ИИ‑системы, особенно мобильные процессоры (Apple, Qualcomm). SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на производство таких чипов.