Intel сталкивается с проблемами масштабирования: сопротивление межсоединений растёт экспоненциально при шаге менее 21 нм. Подвод питания только с обратной стороны пластины (nTSV) не обеспечит нужной плотности транзисторов из-за просадок напряжения.
Чтобы решить это, Intel планирует гибридный подход — подавать питание с обеих сторон пластины. Для техпроцесса 14A2 компания намерена использовать лицевую сторону для вспомогательных элементов, сохранив доминирование обратной. Это улучшит запас мощности и плотность чипов.
Базовый техпроцесс Intel 14A с шагом 28 нм для слоя M0 появится в образцах к концу 2028 года, массовое производство — не ранее 2029. Версия 14A2 с двусторонним питанием и шагом 21 нм ожидается позже. Плотность транзисторов в 14A будет в 1,3 раза выше, чем в Intel 18A.
0 комментариев