Учёный из OIST предложил радикально упростить оптику EUV-литографии. Вместо сложной внеосевой схемы используется линейная геометрия: маска, оптика и пластина на одной оси. Это может снизить стоимость оборудования в 3-4 раза и печатать элементы 2-3 нм.
Однако до промышленного применения далеко: расчёты предполагают идеальные зеркала с 100% отражением. Реальная EUV-оптика теряет энергию и требует точной обработки. Следующий шаг — сборка прототипа.
Если подход подтвердится, он удешевит выпуск высокоплотной памяти и логических микросхем, сократит число операций и снизит энергопотребление, что важно для ИИ и ЦОД.
Предложена линейная фокусирующая система из двух оптических компонентов с парой вогнутых и выпуклых зеркал. Моделирование показало, что многократные отражения компенсируют искажения, сохраняя высокую числовую апертуру. Схема проще в производстве и настройке, чем нынешние high-NA решения.
EUV-литография использует излучение 13,5 нм. Свет не проходит через линзы, поэтому вся система на отражении в вакууме. В стандартном сканере ASML луч падает на маску, затем оптика фокусирует изображение. Увеличение NA повышает разрешение, но усложняет оптику и усиливает искажения.
При разработке профессор стремился снизить "3D-эффекты маски" — искажения из-за трёхмерной структуры и угла падения. Эту проблему не решили в 90-х, поэтому коммерческим вариантом стала внеосевая схема ASML.
0 комментариев