Экстремальный ультрафиолет (EUV) с длиной волны 13,5 нм близок к физическому пределу. Следующий шаг — заэкстремальный ультрафиолет (B-EUV) с длиной волны 6,7 нм, что вдвое повышает разрешение по критерию Рэлея.
Группа Шлойдо из «Центра Келдыша» предлагает использовать гадолиний вместо олова в плазменном источнике. А для отражения 6,7 нм нужны многослойные зеркала (лантан, карбид бора) с отражением до 65%.
Учёные Университета Джонса Хопкинса разработали электрорезист на основе имидазолов с цинковой маской. Он поглощает B-EUV и испускает электроны, формирующие узоры без каскадов вторичных частиц.
TSMC откладывает внедрение High-NA EUV (дорого, $350 млн). B-EUV может стать дешевле в перспективе, хотя лазеры нужны мощнее — например, тулиевый BAT или платформа LWFA от стартапа Inversion.
Полупроводниковая литография неизбежно движется к B-EUV, но остаются вызовы: цена коммерческого аппарата (ориентировочно $720 млн), необходимость новых материалов для фоторезистов и диэлектриков при техпроцессах менее 1 нм.
0 комментариев