Samsung на заводе в Сиане начал массовый выпуск 236-слойной 3D NAND, сворачивая выпуск 128-слойной. К следующему году там же планируется выпуск 286-слойной памяти. Этот завод дает около 40% мировых поставок 3D NAND от Samsung.
В Южной Корее Samsung готовится к выпуску памяти с более чем 400 слоями во второй половине года. SK hynix в ближайшие два года запустит 300-слойную память с гибридным соединением, пока выпуская 321-слойную.
Китайская YMTC под санкциями освоила 270-слойную, а Huawei показала способ увеличения емкости без роста числа слоев. США запретили поставки оборудования для >128 слоев, но Samsung и SK hynix получили исключение.
0 комментариев