Samsung, SK hynix и Micron начали предварительную разработку памяти DDR6, обратившись к поставщикам подложек. Стандарт JEDEC ещё не утверждён, но компании хотят подготовить тестовые образцы до массового производства.
Ожидается, что скорость DDR6 достигнет 17,6 Гбит/с — вдвое быстрее DDR5. Это требует новой архитектуры с четырьмя 24-битными подканалами, меняющей подходы к целостности сигнала.
«Компании обычно приступают к совместной разработке более чем за два года до выхода продукта на рынок», — сообщил представитель производителя подложек. Выпуск DDR6 на массовый рынок ожидается в 2028–2029 годах, а тестирование для заказчиков — в 2027-м.
0 комментариев