Intel 18A-P: +9% производительности и –18% энергопотребления

Intel готовит техпроцесс 18A-P — улучшенную версию 18A (1,8 нм). Новые транзисторы RibbonFET, улучшенный теплоотвод и сниженная вариативность дают +9% производительности или –18% энергопотребления. Конструкция совместима с 18A для быстрого портирования.

Металлические линии с новыми параметрами сопротивления и ёмкости повлияли на задержки сигнала. Перекос качества кристаллов сократился на 30%, добавлены варианты порогового напряжения — выход годных чипов вырос. Теплопроводность улучшена на 50%, уменьшена деградация транзисторов.

источник