Гибридное сопряжение (hybrid bonding) соединяет чиплеты напрямую, без промежуточных контактов. Это позволяет достичь плотности соединений до 10 тыс. на мм² в серийном производстве, тогда как микрозёрна дают лишь 1,6 тыс. Технология перспективна для 3D-интеграции, особенно в AI-приложениях.
Стартап Yuanji Microelectronics из Китая планирует к 2029 году выпустить чипы с плотностью транзисторов, эквивалентной 5 нм, используя 2D-транзисторы и hybrid bonding. Это позволит обойтись без EUV-литографии. Весной 2026 года они уже создали прототипы на 8-дюймовых пластинах с разрешением 500 нм–1 мкм.
Huawei предложил «закон масштабирования тау», который фокусируется на сокращении задержки сигнала (τ) вместо роста числа транзисторов. Архитектура LogicFolding с двумя активными слоями увеличила плотность транзисторов на 53% и энергоэффективность на 41%.
Главная сложность hybrid bonding – сверхточное позиционирование чиплетов и контроль отжига для создания надёжных медных контактов. Исследователи ищут способы улучшить механическую прочность и проводимость, формируя крупные кристаллиты на границе соединения.