Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) создал установку электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) для изготовления фотошаблонов и формирования рисунка на подложках без масок по нормам 150 нм, сообщает CNews.
Это стало известно из документов: ЗНТЦ ищет перевозчика для доставки опытного образца установки с проектными нормами 150 нм в рамках ОКР «Прогресс ЭЛЛ 150».
Образец планируют перевезти «за 2 тыс. км от Зеленограда». Сейчас два опытных экземпляра проходят комплексные испытания, которые продлятся около четырёх месяцев.
После этого начнутся испытания на точность формирования изображения и другие параметры. Разработка ведётся в рамках госпрограммы «Научно-технологическое развитие Российской Федерации».
Ранее, в 2025 году, ЗНТЦ представил литограф с разрешением 350 нм, переданный компании «Отраслевые решения» (ГК «Элемент»). Гендиректор Анатолий Ковалёв заявлял о заделе для локализованных установок с нормами 90 нм.
Сейчас ведутся работы над установкой с нормами 130 нм. Для сравнения: 130-нм чипы Intel и AMD, такие как Pentium 4 и Athlon XP, выпускались ещё в начале 2000-х.
Электронно-лучевая литография в основном применяется для изготовления фотошаблонов — стеклянных подложек с непрозрачным рисунком микросхемы, который затем многократно переносится на кремниевые пластины.
Также ЭЛЛ позволяет формировать рисунок прямо на подложке без масок — буквально печатать чипы на пластинах.
У технологии есть плюсы и минусы. Гибкость: для науки и прототипов можно быстро менять рисунок без дорогого фотошаблона. Но для серийного производства она не подходит из-за низкой скорости.
По словам главы одного из микроэлектронных предприятий, такое оборудование логично при мелкосерийном выпуске специализированных чипов для космоса и обороны, где дорогие маски невыгодны.
Другой эксперт отметил, что литограф пригоден для шаблонов зрелых техпроцессов, но есть сложности с однородностью рисунка по всей пластине. Это требует точной метрологии и качественных электронно-чувствительных резистов.
По словам эксперта, российская полупроводниковая отрасль упирается в ряд проблем: отсутствие инженерной школы для норм менее 65 нм, дефицит фоторезистов тоньше 90 нм и нехватку компонентной базы.
В числе критичных компонентов — прецизионные лазерные интерферометры и системы контроля температуры для минимизации эффекта близости.
Специалист также отметил отсутствие национальной программы перепроектирования оборудования, подобной китайской, реализуемой с 2005–2010 годов. Она помогла бы сократить технологический разрыв и наладить выпуск надёжной электроники.
0 комментариев