Спрос на высокоскоростную память HBM для ИИ-ускорителей продолжает вытеснять производство стандартной памяти для ПК. HBM требует значительно больше кремниевых пластин, чем обычная DRAM, поэтому производители в первую очередь выделяют мощности под неё и серверную DRAM.
В результате мощностей для устаревшей DDR4 стало заметно меньше. Производители ПК опасаются нехватки компонентов и начинают закупать память впрок, стремясь обеспечить запасы на срок более десяти недель.
По данным TrendForce, в августе контрактная цена на 8-гигабитный чип DDR4 выросла на 4,17% и достигла $25. С июня 2016 года, когда начался мониторинг этого рынка, память подорожала в 8,6 раза.
Цены росли 11 месяцев подряд — с апреля прошлого года по февраль этого, а затем возобновили рост с апреля и продолжают расти до сих пор. Наблюдается инверсия цен: старые модули DDR4 теперь стоят дороже новых DDR5.
Аналитики прогнозируют сокращение поставок ноутбуков на 10,5% в этом году. Прогноз роста контрактных цен на DRAM для ПК в III квартале повышен с 15–20% до 18–23%.
В ходе августовских переговоров некоторые поставщики подписывали контракты с ростом цен на 23–28%, что говорит об их сохраняющемся влиянии на рынок.
На рынке флеш-памяти NAND ситуация неоднородна. Контрактная цена на 128-гигабитные чипы MLC в августе выросла лишь на 1,42% до $30,48 — покупатели, похоже, достигли предела платёжеспособности.
Для сравнения, в июле рост цен на такие чипы составлял 4,26–8,17%. А вот более старые SLC-чипы в августе подорожали на 16,51–28,22%: сильнее всего выросли в цене 4-гигабитные модели, а 2- и 8-гигабитные подорожали более чем на 20%.
Дефицит связан с тем, что производители сосредоточились на высокорентабельной 3D NAND и сворачивают инвестиции в старые решения. При этом спрос на них сохраняется — например, в телекоммуникационном оборудовании и интеллектуальных счётчиках заменить такие компоненты непросто.
По прогнозам TrendForce, в сентябре цены на DRAM продолжат заметно расти, SLC покажет «ограниченный рост», а MLC, вероятно, стабилизируется на текущем уровне.