Китайский производитель микросхем памяти CXMT приступил к выпуску небольших тестовых партий передовой высокоскоростной памяти HBM3E. Точные технические характеристики продукта компания не раскрывает.
Однако стандартная спецификация JEDEC для такой памяти предполагает 1024-битную шину и скорость от 9,2 до 12,4 Гбит/с на контакт. Большинство типовых конфигураций рассчитаны на 9,6 Гбит/с на контакт.
Общая пропускная способность подобных чипов достигает 1,2 Тбайт/с, а ёмкость варьируется от 24 Гбайт для 8-слойных стеков до 36 Гбайт для 12-слойных вариантов.
Несколько китайских компаний уже тестируют новую память вместе со своими процессорами. Среди них — T-Head, дочерняя структура Alibaba Group, и Cambricon Technologies. Расширение производства CXMT планирует на 2027 год.
Сейчас китайские производители памяти отстают от южнокорейских конкурентов на два поколения — те уже переходят на выпуск HBM4E. Тем не менее для CXMT текущий этап считается важной вехой.
К концу года компания рассчитывает нарастить производственную мощность примерно до 350 000 пластин DRAM в месяц, а в последующие годы планирует её дальнейшее увеличение.
CXMT управляет несколькими предприятиями, включая два завода по производству 12-дюймовых пластин — в Хэфэе и Пекине. Мощность каждого составляет около 100 000 пластин в месяц.
Сейчас суммарная производственная мощность компании достигает около 200 000 пластин в месяц. После полного запуска новых заводов в Шанхае и Хэфэе CXMT планирует утроить этот показатель — до 600 000 пластин ежемесячно.
Пробное производство HBM3E началось в очень небольших объёмах, что указывает на начальную стадию тестирования. Аналитики полагают, что переход к массовому выпуску может произойти достаточно быстро.
CXMT заметно опережает конкурентов по скорости строительства чистых помещений: компания ввела в эксплуатацию такое помещение всего за 12 месяцев, тогда как обычно на это уходит до двух лет.