Компания Micron Technology, один из крупнейших мировых производителей DRAM, выступила на конференции Hot Chips 2026 с докладом о проблемах развития индустрии ИИ через призму эволюции технологий памяти. По мнению представителей компании, ИИ-системы всё сильнее упираются в так называемую «стену памяти».
Архитектор HBM-памяти Micron Рагху Срираманнени обозначил несколько тревожных факторов. Отрасль концентрируется на выпуске многоярусной памяти типа HBM3E, что резко увеличивает расход кремниевых пластин и усиливает дефицит DDR5 — HBM3E требует в три раза больше кремния.
Вычислительная мощность ИИ-ускорителей растёт быстрее возможностей HBM: производительность утраивается за два года, тогда как скорость памяти за тот же срок увеличивается менее чем вдвое. Из-за этого ускорители всё сильнее упираются в пропускную способность памяти.
Micron пытается выпускать HBM4 быстрее стандартов JEDEC, но это вряд ли устранит разрыв. Стеки HBM способны расти до 16 ярусов, после чего масштабирование столкнётся с серьёзными техническими сложностями.
Архитектура HBM4 подразумевает параллельную работу с 256 банками на кристалле против 32 у DDR5. Это заметно увеличивает расход кремния и подстёгивает дефицит памяти, провоцируя рост цен с каждым новым поколением HBM.
В пересчёте на один контакт HBM уже стоит в пять раз дороже DDR5, и это побуждает производителей жертвовать интересами клиентов DDR5 ради прибыли от HBM. Цены на память выросли в разы за год, а её стоимость формирует уже до 35% цены нового ПК.
По прогнозу Gartner, из-за роста цен на память рынок ПК по итогам года сократится более чем на 10%.
Аналитики ожидают, что к концу года доходность пластины с DDR5 превысит доходность HBM3E из-за роста цен на первый тип памяти. Это снижает мотивацию производителей наращивать мощности по выпуску DDR5, и дефицит DRAM, по мнению участников рынка, сохранится и в следующем году.
Конкурирующая SK hynix на той же конференции заявила, что высота стека HBM будет ограничена 775 микронами вплоть до перехода на гибридное сращивание, которое появится только в поколении HBM5.
В Micron признают, что теплоотвод становится серьёзной проблемой по мере роста плотности компоновки памяти. Сильнее всего нагревается базовый кристалл, расположенный в самом низу стека — дальше всего от радиатора, контактирующего с верхним кристаллом.
Сейчас Micron уделяет особое внимание решению термодинамических проблем при разработке HBM, поскольку перегрев — одна из главных угроз стабильности вычислительной инфраструктуры ИИ.