Китайский производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) обвиняется в незаконном присвоении интеллектуальной собственности Samsung. По данным Maeil Business, CXMT не планировала разрабатывать собственные технологии DRAM с нуля, а кража носила стратегический характер.
Повторение технологического плана не гарантирует рабочего процесса, но ускоряет разработку — в нём описаны этапы осаждения, травления, отжига, параметры имплантации и другие характеристики. Однако такой план не раскрывает полную архитектуру транзисторов или физическую конструкцию, что требует обратного проектирования для восстановления технологии.
Обвинения основаны на показаниях бывшего инженера Samsung Чона, проработавшего в компании 28 лет. В 2016 году он перешёл в CXMT и передал технологический план на 600 шагов, касающийся процессов DRAM и техпроцесса 18 нм. В апреле 2026 года его приговорили к семи годам тюремного заключения.
CXMT запустила производство DDR4 на 22 нм в 2019 году, а массовый выпуск на 18 нм начался в 2023-м. Корейский суд признал, что китайский производитель незаконно использовал технологии Samsung.