Ведущие производители чипов расходятся во мнениях относительно сроков внедрения оборудования High-NA EUV, необходимого для перехода на самые передовые техпроцессы. Каждая компания выбирает собственную стратегию в зависимости от финансовых возможностей и текущих задач.
Intel уже применяет High-NA EUV при выпуске части кристаллов процессоров Panther Lake по технологии Intel 18A. TSMC, напротив, откладывает переход на такое оборудование минимум до 2029 года, планируя освоить техпроцессы A12 и A13 без него из-за высокой стоимости закупки.
SK hynix уже тестирует High-NA EUV в производстве микросхем памяти, стремясь получить преимущество на раннем этапе. Параллельно применяются альтернативные методы, включая фотомаски с фазовым смещением для повышения разрешающей способности литографии.
Представители Samsung считают, что техпроцессы вплоть до 1,4 нм и 1 нм можно реализовать на оборудовании с числовой апертурой 0,33. Переход на апертуру 0,55 станет оправданным только после достижения этого рубежа.
Oборудование High-NA EUV стоит до $400 млн за единицу и должно позволить уменьшить литографические нормы за пределы 2 нм, ускорив обработку кремниевых пластин. По данным южнокорейских СМИ, Samsung Electronics внедрит его в массовое производство не раньше 2030 года, рассчитывая к этому времени освоить 1-нм техпроцесс.