Китайская полупроводниковая отрасль сделала важный шаг в разработке собственных литографических сканеров для производства чипов. Местным исследователям удалось создать источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) — ключевой компонент для выпуска современных микросхем.
По информации ресурса Newsbit, значительную помощь в этом достижении оказал Линь Нань — специалист, ранее работавший в нидерландской компании ASML над разработкой подобных лазеров. Именно ASML остаётся мировым лидером в производстве EUV-оборудования.
Ранее китайским разработчикам удавалось создавать экспериментальные источники EUV-излучения с эффективностью не более 3,42%. Это означает, что лишь малая часть энергии преобразуется в полезное излучение для работы с кремниевыми пластинами — показатель приемлемый для лабораторных условий, но недостаточный для массового производства.