Samsung получила первый рабочий образец DRAM по техпроцессу 10a, где линейные размеры составляют 9,5–9,7 нм. Это открывает эру литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти.
Для слововой линии компания рассматривает два материала:
Нитрид титана
Молибден (коррозионно-активен, требует нового оборудования)
Окончательный выбор пока не сделан.
Вертикальные каналы транзисторов (VCT) — первый шаг к 3D DRAM. Samsung движется эволюционно, в отличие от Micron и китайских производителей, которые планируют сразу перейти к 3D DRAM, минуя этап 4F2 и VCT.
Трёхмерная компоновка позволит выпускать память с более высокой плотностью без дорогой EUV-литографии. Для китайцев это критично из-за санкций.
SK hynix, как и Samsung, будет применять 4F2 и VCT, но в рамках техпроцесса 10b, а не 10a.
Массовое производство по техпроцессу 10a начнётся в 2028 году. Технологии 10a, 10b и 10c используют архитектуру 4F2 и VCT, а 10d — переход на 3D DRAM.
Samsung параллельно разрабатывает альтернативы на случай проблем с внедрением 10a, но рабочие образцы вселяют оптимизм.
Структура 4F2 увеличивает плотность ячеек на 30–50%. VCT размещает конденсатор над транзистором, повышая компоновку. Периферийные схемы — на отдельном кристалле, монтируемом методом гибридного соединения.
Для подавления токов утечки каналы транзисторов будут изготавливать из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) вместо кремния.
0 комментариев