Samsung готовит новый SSD 990 с интерфейсом PCIe 4.0 NVMe, не относящийся к сериям EVO или PRO. Вместо DRAM-буфера используется технология HMB.
Накопитель построен на собственных чипах 3D V-NAND и контроллере Samsung. Модель на 1 Тбайт имеет скорости чтения и записи 7150 и 6450 Мбайт/с соответственно.
Версия на 2 Тбайт немного быстрее: 7250 Мбайт/с чтение и те же 6450 Мбайт/с запись. Скорость произвольного чтения достигает 850 тыс. IOPS, записи — 1200 тыс. IOPS.
Гарантия на старшую модель — 3 года с лимитом записи 800 Тбайт, на младшую — 3 года или 400 Тбайт. Это ниже, чем у серии 990 PRO. Некоторые реселлеры называют его «NVMe начального уровня». Цены и дата выхода пока не объявлены.
0 комментариев