IBM представляет новую архитектуру NanoStack — вертикальное размещение транзисторов для повышения плотности. Это развитие наностраничной архитектуры.
Преимущества: лучший контроль канала, меньше утечки, масштабирование в третье измерение. Обещают до 100 млрд транзисторов на кристалле размером с ноготь, вдвое плотнее 2-нм GAA.
Совместно с Rapidus внедряет 2-нм производство. Переход к настоящему 3D-расположению транзисторов — следующий шаг. IBM участвует в этой гонке.
Новый техпроцесс даст до 50% прироста производительности или 70% энергоэффективности по сравнению с 2-нм. Улучшение масштабирования SRAM на 40% важно для ИИ-ускорителей.
IBM представила первую технологию субнанометрового класса с нормами 0,7 нм (7 ангстрем). Развитие GAA. Реализация не позднее 2031 года, обещает снижение энергопотребления и рост производительности.
0 комментариев