Корпус P5 Fab 2 в Пхёнтхэке площадью ~130 000 м² позволит Samsung ежемесячно выпускать 200–300 тыс. кремниевых пластин с памятью HBM, DRAM, NAND и логическими чипами. Завод заработает в 2029 году.
Параллельно компания расширяет выпуск памяти на других линиях. В корпусе P4 монтируется линия DRAM по техпроцессу 1c для HBM4 (100–200 тыс. пластин/мес). В Китае осваивают 286-слойную NAND, в Техасе — 2-нм чипы для Tesla. Также готовятся мощности тестирования и упаковки.
Строительство P5 Fab 2 начнется в ближайшее время. На площадке замечены машины для забивки свай, фундамент заложат через месяц. Трехэтажный корпус будет возведен в дополнение к P5 Fab 1, который строится с конца 2023 года и заработает в 2028.
В прошлом расширение мощностей было рискованным: из шести корпусов комплекса ввели только три, четвертый с задержкой. Шестой корпус, P5 Fab 2, запускают с опережением графика.
Каждое из двух предприятий обойдется в ~$39 млрд. Вместе они будут выпускать 600 тыс. пластин в месяц. Сейчас Samsung выдает 650 тыс. пластин DRAM в месяц, так что к 2029 году мощности по памяти удвоятся.
0 комментариев