Компания SemiAnalysis провела reverse-engineering процессора HiSilicon Kirin 9030 из Huawei Mate 80. Чип производится SMIC по техпроцессу N+3 — третьему поколению 7-нм технологии.
Плотность транзисторов составила 113,4 млн/мм². Это выше, чем у зрелого TSMC N6 (107,7 млн/мм²). Однако техпроцесс уступает Intel 18A примерно на 38% по плотности. Примечательно, что SMIC использует DUV-литографию без EUV, применяя многократное экспонирование.
Минимальный шаг металлизации в нижних слоях у SMIC N+3 — 32,5 нм, у Intel 18A — 36 нм. Но Intel сознательно увеличила шаг из-за технологии PowerVia (подача питания с обратной стороны). Это позволяет сохранять высокую плотность компоновки.
Производительность ядра Kirin 9030 Pro — 2,75 ГГц, уровень Arm Cortex-X2 (2021 год). Таким образом, процессор сопоставим с флагманами трёхлетней давности и уступает современным решениям Apple, Qualcomm, MediaTek и Samsung.
Память в устройствах — LPDDR5X от Samsung, в некоторых версиях также от китайского CXMT. Экспортные ограничения США не остановили развитие, но Китай пока не сокращает отставание от лидеров. Для компенсации отсутствия EUV применяются сложные архитектурные оптимизации и 3D-штабелирование.
0 комментариев