Первый параллельный микропроцессор на двумерном полупроводнике MoS2 создан совместно Huawei и Нанкинским университетом. Слой дисульфида молибдена имеет толщину менее 1 нм, что позволяет уменьшить транзисторы и повысить плотность без использования передовых литографов.