Разворот транзисторного канала из вертикального положения (как в FinFET) в горизонтальное даёт важное преимущество. Кристаллическая решётка кремния анизотропна, и свойства структур зависят от выбранной кристаллографической ориентации подложки.
Разворот транзисторного канала из вертикального положения (как в FinFET) в горизонтальное даёт важное преимущество. Кристаллическая решётка кремния анизотропна, и свойства структур зависят от выбранной кристаллографической ориентации подложки.