Инженеры Samsung Electronics разработали первый промышленно реализуемый 3D-транзистор (3DSFET) с рекордным шагом затвора 42 нм. Достижение представили на VLSI Symposium 2026.
Инженеры Samsung Electronics разработали первый промышленно реализуемый 3D-транзистор (3DSFET) с рекордным шагом затвора 42 нм. Достижение представили на VLSI Symposium 2026.