Samsung готовится к запуску новой производственной линии на кампусе в Йонъине во второй половине 2028 года. Полный цикл обработки кремниевых пластин на этой площадке невозможен из-за её ограниченных размеров, но отдельные этапы техпроцесса здесь всё же будут реализованы.
Базовые кристаллы для памяти HBM5 компания планирует выпускать по 2-нм техпроцессу с использованием транзисторов структуры GAA (gate-all-around). Это должно обеспечить самой памяти HBM5 прирост быстродействия более чем на 50% по сравнению с HBM4E.
Уже начиная с HBM4 базовые кристаллы в стеках памяти становятся всё более адаптированными под требования конкретных заказчиков. Если SK hynix для этого приходится полагаться на мощности TSMC, то Samsung способна производить такие кристаллы самостоятельно.
Вторую очередь исследовательского кампуса NRD-K в Йонъине планируется переориентировать с научных задач на серийный выпуск заказных 2-нм чипов для памяти нового поколения HBM5, которую Samsung намерена поставлять в том числе Nvidia.
Решение о смене назначения второй фазы NRD-K пока остаётся предварительным — за оставшиеся два года ситуация на рынке может измениться, и компания способна найти площадке иное применение.
Всего к 2030 году Samsung планирует построить в Йонъине три производственные линии. Строительство первой уже завершено в конце 2024 года, подготовка ко второй стартовала в этом году — сейчас определяется её целевое назначение. Общий бюджет проекта достигнет $14 млрд.
По данным ZDNet, перепрофилирование второй очереди кампуса может превратить его в площадку для контрактного производства 2-нм базовых кристаллов памяти HBM нового поколения, востребованных у Nvidia.