Компания Samsung Electronics на конференции Semicon Taiwan 2026 представила планы развития скоростной памяти нового поколения. Основной фокус направлен на разработку HBM5, zHBM и zNAND-O — технологий, которые изменят подход к хранению данных в ИИ-инфраструктуре.
Вице-президент по производственному планированию Чан Сок Цой сообщил, что HBM5 превзойдёт HBM4E по чистой производительности вдвое. Энергоэффективность вырастет на 20%, а тепловое сопротивление снизится на те же 20%, что улучшит работу памяти в условиях высоких нагрузок вычислительных ускорителей.
Базовые кристаллы HBM5 будут производиться по 2-нм техпроцессу, тогда как текущие HBM4 и HBM4E используют 4-нм нормы. Массовый выпуск HBM5 стартует около 2028 года, при этом количество ярусов в стеке постепенно увеличится с 12 до 20.
Ещё более продвинутой станет память zHBM — её быстродействие превысит показатели HBM4E в восемь раз, а энергоэффективность вырастет втрое. Тепловое сопротивление удастся сократить на 75–90%. Ключевая особенность zHBM — размещение стека памяти прямо на процессоре, а не рядом на подложке. Выпуск начнётся после 2029 года.