Главной помехой для одноэлектронной памяти была паразитная краевая ёмкость. Учёные использовали атомарно тонкие двумерные материалы и самовыравнивающуюся планарную архитектуру, подавившую краевые эффекты. Слой графена стал барьером для электрона.
Разработка названа Guiyi («Единство»). Публикация в Science 16 июля. Новая память плотнее современных флеш-памятей, где каждый бит — сотни тысяч электронов.
Пока только лабораторное устройство. Нужно подтвердить ресурс, скорость, выход годных. Осенью создадут компанию, выход на рынок через 3–5 лет.
Добавление одного электрона меняло пороговое напряжение на 0,5 В — почти на порядок больше, чем в 1997 году (55 мВ, <5 сек). Ячейка удерживает состояние без питания при комнатной температуре. Обещана многоуровневая запись.
Одноэлектронная запись увеличит плотность памяти и уменьшит энергию. Разработчики связывают её с системами ИИ для хранения данных рядом с вычислителями, сокращая пересылку.