Samsung объявила о начале поставок образцов HBM4E. Скорость передачи данных достигает 14 Гбит/с с перспективой увеличения до 16 Гбит/с, что на 20% выше HBM4. Совокупная скорость в стеке — до 3,6 Тбайт/с.
Ранее Samsung уступала SK hynix на рынке HBM3 и HBM3E, но теперь навёрстывает. Компания первой начала поставки 12-слойных стеков HBM4E.
12-слойный стек HBM4E имеет ёмкость 48 Гбайт — на 30% больше предыдущего поколения. Позже появятся 8-слойные (32 Гбайт) и 16-слойные (64 Гбайт). DRAM производится по 6-му поколению 10-нм техпроцесса (1c), а базовый кристалл — по 4-нм. Энергоэффективность улучшена на 16%, тепловые характеристики — на 14%.
Акции Samsung выросли на 6,51%. Конкурент SK hynix планирует начать поставки образцов HBM4E во второй половине года, а массовое производство — в 2027.
0 комментариев