Японские ученые создали прототип магнитной памяти на основе квантовых эффектов, который переключается за 40 пикосекунд — в 25 раз быстрее современных SRAM и DRAM.
Разработка использует перенос спин-орбитального момента электрона вместо электрического тока, что снижает энергопотребление и тепловыделение.
Ключевой материал — антиферромагнетик Mn3Sn (марганец с оловом), который проявляет гигантский аномальный эффект Холла, реагируя на спиновый момент без больших токов.
Технология может привести к созданию энергонезависимой памяти, сочетающей скорость DRAM и энергонезависимость флеш-памяти, что важно для ИИ и дата-центров.
Ученые также продемонстрировали переключение с помощью фототоков от лазера телекоммуникационного диапазона, что открывает путь к опто-спинтронной памяти.
Циклы переключения достигли 10^12, что намного выше современной энергонезависимой памяти.
0 комментариев