Исследователи из KAIST показали, что критическая длина туннелирования в транзисторах непостоянна. Она зависит от работы выхода металла и геометрии контакта. При правильном подборе материалов этот предел можно снизить до уровня менее 4 нм.
Исследователи из KAIST показали, что критическая длина туннелирования в транзисторах непостоянна. Она зависит от работы выхода металла и геометрии контакта. При правильном подборе материалов этот предел можно снизить до уровня менее 4 нм.