Kioxia начала поставлять образцы флеш-памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит, произведённой по технологии BiCS FLASH 3D девятого поколения.
Чипы ориентированы на твердотельные накопители для ПК и ноутбуков, а также на смартфоны с поддержкой ИИ, где используются накопители малого и среднего объёма с высокими требованиями к скорости.
Память насчитывает 230 слоёв и объединяет наработки BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS. Скорость интерфейса NAND достигает 4,8 Гбит/с.
Это на 33 % быстрее решений восьмого поколения и соответствует уровню производительности чипов NAND десятого поколения.
В производстве применяются технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS).
Компания параллельно развивает две линейки:
NAND 9-го поколения — высокая производительность при относительно низких инвестиционных затратах
NAND 10-го поколения — многослойная компоновка ради максимальной ёмкости и очень высокой скорости