Samsung Electronics подписала меморандум о стратегическом сотрудничестве с Broadcom. Общий объём партнёрства оценивается в более чем $200 млрд и рассчитан до 2030 года.
По данным Bloomberg, эта сумма отражает совокупный объём взаимодействия сторон за несколько лет, а не стоимость единовременного контракта.
Ключевой элемент сделки — выпуск коммуникационных ASIC Broadcom нового поколения на техпроцессе Samsung класса менее 2 нм. Речь идёт о загрузке передовых линий Samsung Foundry.
Помимо логических чипов, компании намерены совместно разрабатывать высокоскоростную память HBM следующего поколения для ИИ-ускорителей.
Также в планах — применение современных технологий корпусирования, которые объединяют вычислительные кристаллы и память в одном корпусе.
О соглашении объявили во время визита президента Южной Кореи Ли Чжэ Мёна в Кремниевую долину, где проходил саммит по искусственному интеллекту.
На том же мероприятии были представлены новые договорённости между южнокорейскими компаниями и американскими разработчиками ИИ.
Для Samsung сделка носит стратегический характер: она усиливает позиции корейцев в контрактном производстве чипов, где конкурентом выступает TSMC, и на рынке памяти для ИИ, где соперничает SK hynix.
0 комментариев