Производители памяти уже проектируют преемников для линейки HBM. Samsung Electronics делает ставку на zHBM — по обещаниям компании, она будет в восемь раз быстрее HBM5, а плотность хранения данных вырастет более чем в 10 раз.
Энергоэффективность zHBM заявлена втрое выше, чем у HBM5, а тепловое сопротивление сокращается более чем вдвое. Основа — технология объединения нескольких кремниевых пластин с десятками тысяч каналов передачи данных в одном стеке.
Ещё одно отличие — стек памяти можно монтировать прямо на графический процессор. Сейчас HBM размещается рядом с GPU на общей подложке в горизонтальной плоскости. Также zHBM допускает интеграцию кастомной логики по запросу клиента.
Сама HBM5, по оценкам Samsung, удвоит пропускную способность относительно HBM4E и снизит тепловое сопротивление на 20 % за счёт новой системы терморегулирования. На FMS 2026 её показали в виде модели.
Компания напомнила, что образцы HBM4E отгружает клиентам с мая, а массовое производство HBM4 на 4-нм базовом кристалле и DRAM класса 1c запустила первой. Там же показали LPDDR5X-PIM, выполняющую часть вычислений без обращения к центральному процессору.
Для ИИ-вычислений предназначена и zNAND-O на базе V-NAND — она минимизирует задержки при обмене данными между соседними компонентами системы. Концепцию Z-NAND Samsung представила в 2025 году.
Тогда заявлялся 15-кратный рост производительности и снижение энергопотребления на 80 %. По предварительным оценкам, Z-NAND окажется до четырёх раз дороже обычной TLC NAND, в одном стеке объединят четыре или восемь слоёв памяти.
Отдельно на FMS 2026 в Калифорнии показали V10 BV-NAND — более 400 слоёв и новая технология формирования межслойных соединений. Плотность хранения выросла на 58 % относительно V9, скорости чтения, записи и передачи данных также подросли.
Технологией V-NAND активно интересуется Nvidia, а в поколении V11 число слоёв должно достичь 500.