Раньше поиски поддержки для стековой памяти проваливались, но стартап NEO Semiconductor изменил правила игры. Компания успешно реализовала концепцию 3D X-DRAM: от безнадежного проекта за год до горячо востребованного решения с активными переговорами с лидерами индустрии.
Ключевые преимущества архитектуры:
Стековая компоновка и сверхширокая шина (32 000 бит).
Плотность записи: 512 Гбит на кристалл.
Пропускная способность в 16 раз выше, чем у современного стандарта HBM.
Разработчики уверены: стандарт HBM не достигнет таких показателей до середины века, тогда как NEO готова представить прорыв уже сейчас.
Тестирование образца прошло в НИИ прикладных исследований Тайваня (NIAR-TSRI). Результаты впечатляют:
Задержка чтения/записи < 10 нс.
Время регенерации при 85 °C — > 1 сек (в 15 раз лучше стандарта JEDEC).
Устойчивость к износу достигла уровня 10¹⁴.
Высокий уровень помехоустойчивости.
«Благодаря партнёрству промышленности и науки мы подтвердили работоспособность 3D DRAM в реальном производстве», — заявил Джек Сан, старший вице-президент NYU и бывший технический директор TSMC.
Важным событием стало привлечение легендарного инвестора Стэна Ши (основателя Acer и экс-CEO TSMC). Сотрудничество также включало Национальный университет Янмин и Тайваньский научно-исследовательский институт полупроводников, где был изготовлен чип.
Стековое размещение ячеек решает проблему дефицита памяти. Хотя путь 3D NAND пока не повторили полностью, первый прототип уже воплощён в кремнии и привлек внимание рынка.