Samsung Electronics стремится занять лидирующие позиции в сегменте памяти HBM4E, своевременно предоставив клиентам образцы, соответствующие всем техническим требованиям. Уже в следующем месяце компания рассчитывает получить свои первые прототипы с нужными характеристиками, опередив собственный график.
SK hynix, полагаясь на TSMC для базовых кристаллов, форсирует переход к прогрессивным техпроцессам. Для HBM4 она планирует комбинировать 12-нм технологию с 10-нм DRAM пятого поколения (1b). Считается, что TSMC будет выпускать базовые кристаллы для HBM4E по 3-нм технологии.
Nvidia немного отстала от графика вывода ускорителей Vera Rubin и Rubin Ultra, использующих новую память. Массовое производство также осваивается с задержкой, однако Samsung не желает уступать конкурентам в этой сфере.
Номинально образцы HBM4E демонстрировались на конференции GTC 2026 в марте, но они были лишь демонстрационными и не функционировали. Ранее компания первой среди трёх лидеров начала поставки HBM4, которую должны выпустить раньше HBM4E. Базовый кристалл для новой памяти Samsung планирует делать по 4-нм техпроцессу, а стековые чипы DRAM — по 10-нм технологии шестого поколения (1c). Это обеспечит преимущество перед конкурентами; применение 4-нм начнется уже при производстве HBM4.
Архитектура HBM4E включает логический кристалл, формирующий основу стека с микросхемами DRAM. Для Samsung его производство возьмет на себя контрактное подразделение, а готовый кристалл ожидается к середине мая. После внутренней проверки образцы HBM4E будут переданы Nvidia для оценки.